En se basant sur le modèle des bandes dénergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite.

Professeur Abdelkader TOUHAMI, docteur d'état es-sciences physiques, études d'électronique et de la microélectronique à l'université Hassan II Ain Chock de Casablanca, responsable d'équipe de recherche en microélectronique au sein de laboratoire de physique des matériaux et de la microélectronique.